La investigación conjunta permite un crecimiento uniforme de cristales en los canales, lo que aumenta el rendimiento y la eficiencia energética de la memoria de próxima generación
Samsung y POSTECH desarrollan tecnología para resolver el desafío del 3D NAND de ultra alta pila
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Resumen
El profesor Hwang Hyun-sang dijo: "Presentamos una solución práctica para cristalizar uniformemente todo el canal incluso en la próxima generación de NAND 3D con un mayor número de capas apiladas".
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Reported detailssecondary facts, each attributed to its source
El profesor Hwang Hyun-sang dijo: "Presentamos una solución práctica para cristalizar uniformemente todo el canal incluso en la próxima generación de NAND 3D con un mayor número de capas apiladas".
according to Kyunghyang Shinmun
Disputedincompatible versions — to verify
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Blind spotwhat one side keeps silent
No blind spot detected: every side covers the same facts.
Sources2 sources cross-checked
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